ГОСТ 9450-76 (СТ СЭВ 1195-78) «Измерение микротвердости вдавливанием алмазных наконечников» (изм. 1, 2)
ГОСТ 9450-76
(СТ СЭВ 1195-78)
ИЗМЕРЕНИЕ МИКРОТВЕРДОСТИ
ВДАВЛИВАНИЕМ АЛМАЗНЫХ НАКОНЕЧНИКОВ
Measurements microhardness by diamond instruments indentation
1. Испытания по методу восстановленного отпечатка
2. Испытание по методу невосстановленного отпечатка
Приложение 3 (рекомендуемое). Размеры отпечатка в зависимости от его глубины
Приложение 4 (справочное). Минимальная толщина образца или изделия
Настоящий стандарт устанавливает метод измерения микротвердости изделий и образцов из металлов, сплавов, минералов, стекол, пластмасс, полупроводников, керамики, тонких листов, фольги, пленок, гальванических, диффузионных, химически осажденных и электроосажденных покрытий вдавливанием алмазных наконечников.
Испытуемые материалы по твердости ограничены изделиями (образцами) из алмаза и их производными.
Стандарт устанавливает два метода испытаний:
по восстановленному отпечатку (основной метод);
по невосстановленному отпечатку (дополнительный метод).
Настоящий стандарт соответствует СТ СЭВ 1195-78 в части измерения микротвердости металлов методом восстановленного отпечатка четырехгранной пирамидой с квадратным основанием (по Виккерсу).
1. ИСПЫТАНИЯ ПО МЕТОДУ ВОССТАНОВЛЕННОГО ОТПЕЧАТКА
1.1. Испытание на микротвердость вдавливанием по методу восстановленного отпечатка заключается в нанесении на испытуемую поверхность изделия (образца) отпечатка под действием статической нагрузки, приложенной к алмазному наконечнику в течение определенного времени. После удаления нагрузки и измерения параметров полученного отпечатка число микротвердости следует определить по формулам (см. пп.1.4-1.7) или по табл.1-28, приведенным в приложении 1.
1.2. При испытании следует применять алмазные наконечники, форма рабочей части которых должна соответствовать указанной в таблице. Указания по выбору наконечников приведены в приложении 2.
1.3. Число микротвердости определяют делением приложенной к алмазному наконечнику нормальной нагрузки на условную площадь боковой поверхности полученного отпечатка.
1.4. Для четырехгранной пирамиды с квадратным основанием число микротвердости (HV) вычисляют по формуле
, (1)
если F выражена в ньютонах
,
если F выражена в килограмм-силах).
1.5. Для трехгранной пирамиды с основанием в виде равностороннего треугольника число микротвердости (HV) вычисляют по формуле
, (2)
если F выражена в ньютонах
,
если F выражена в килограмм-силах).
1.6. Для четырехгранной пирамиды с ромбическим основанием число микротвердости вычисляют по формуле
, (3)
если F выражена в ньютонах
,
если F выражена в килограмм-силах).
Демо – версия документа